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汽車電子物聯(lián)網(wǎng)等新需求浮現(xiàn) 2018芯片缺貨潮再度來襲

2017-12-11 11:34:27 來源:工商時報 熱度:
由于汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等新需求浮現(xiàn),2017年部份半導體生產(chǎn)鏈出現(xiàn)缺貨情況,不僅上游硅晶圓及導線架等材料缺貨,包括DRAM、NANDFlash、NORFlash亦同步缺貨,另微控制器(MCU)、金氧半場效電晶體(MOSFET)也因缺貨而拉長交期或順勢漲價,供需失衡的景象難得一見。
 
 
 
2018年即將到來,硅晶圓及導線架仍供不應求,價格將持續(xù)調(diào)漲,DRAM、MOSFET缺貨情況難獲紓解,MCU交期雖然可望因進入淡季而縮短,但普遍來看交期仍長達3個月,比正常安全庫存時期高出1~1.5個月。至于NAND/NORFlash則因新產(chǎn)能開出,缺貨壓力將獲得紓解。
 
以半導體硅晶圓來看,由于主要供應商近幾年沒有擴產(chǎn),今年正好遇到半導體廠晶圓產(chǎn)能大量開出,2017年全年處于缺貨情況,2018年也將供不應求;為確保2018年硅晶圓供貨無虞,全球半導體大廠采預付訂金方式確保明年貨源,價格則每季調(diào)漲。法人看好環(huán)球晶圓、合晶、嘉晶、臺勝科等硅晶圓供應商營運。
 
半導體導線架同樣面臨缺貨問題。由于國際IDM廠全力搶攻汽車電子及物聯(lián)網(wǎng)市場,對導線架需求大增,但主要供應商近年來持續(xù)整并,今年下半年供應已吃緊,明年上半年亦將小幅缺貨,價格可望續(xù)漲,對于長華科、界霖等供應商十分有利。
 
存儲器部份,DRAM下半年缺貨嚴重,明年上半年將持續(xù)缺貨,雖然業(yè)者有意提高產(chǎn)能,不過新產(chǎn)能開出時間將落在明年底及后年初,所以2018年上半年DRAM位元供給成長只能依靠1x納米升級,整體來看還是供不應求,價格持續(xù)看漲,南亞科、華邦電、威剛等將持續(xù)受惠。
 
NANDFlash及NORFlash明年上半年缺貨情況則可獲得紓解。包括三星、東芝、SK海力士、美光等下半年加快3DNAND產(chǎn)能及技術轉(zhuǎn)換,良率已持續(xù)提升,明年產(chǎn)能開出后就可充足供貨。NORFlash同樣因長江儲存及中芯國際產(chǎn)能開出,加上力晶投入代工市場,明年上半年產(chǎn)能增加,需求端則進入傳統(tǒng)淡季,市況可望趨于供需平衡。
 
至于MCU市場,由于汽車電子及物聯(lián)網(wǎng)大量導入MCU架構(gòu),但包括意法、德儀、瑞薩等IDM廠產(chǎn)能不足因應需求,導致交期大幅拉長至3個月以上,部份缺貨嚴重的料號交期更長達半年。隨著終端需求明年上半年進入淡季,加上晶圓代工產(chǎn)能支援,交期可望縮小至3個月以內(nèi),但仍較安全交期的1~1.5個月長,盛群、新唐則受惠轉(zhuǎn)單,明年上半年營運將淡季不淡。
 
國際IDM廠陸續(xù)淡出電腦及消費性電子的中低壓MOSFET市場,產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至汽車電子中高壓MOSFET市場,或是轉(zhuǎn)向量產(chǎn)絕緣閘雙極電晶體(IGBT)或超接面(SuperJunction)元件,所以中低壓MOSFET下半年嚴重缺貨,明年上半年因無新產(chǎn)能支援,仍會維持供不應求情況,但缺貨缺口會縮小,法人看好尼克森、大中、富鼎等營運表現(xiàn)。
 

責任編輯:吳禮得

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